赵德刚，中国科学院半导体研究所的研究员，他几乎每天都在实验室里工作。他的课题组成员对他印象深刻，他们总是知道他在哪里——要么在实验室，要么正在去实验室的路上。20多年来，赵德刚致力于半导体光电子材料与器件事业，这个行业是信息时代的基石。他没有追求“高产”的新型材料，而是坚守传统材料——氮化镓，并且钻研到极致，克服种种困难，为团队研制出国内第一支氮化镓基紫外激光器、大功率蓝光激光器。
“我是一个国家培养出来的‘土著科研人’，用实际行动回报祖国是我最深切的愿望。”赵德刚说，“作为一名科研人员，我会根据国家需要调整我的研究方向。”
半导体研究分为两大类：微电子和光电子。集成电路、晶体管属于微电子领域，而激光及相关产品则属于光电子领域。在学习了7年的电子科技大学期间，赵德刚发现中国微electronics行业落后于国际标准，这促使他选择氮化镓这一未成熟原材料进行研究。
氮化镓是一种继硅、砷化镓之后的第三代半导体，它具有巨大的应用潜力，可以覆盖从近红外到深紫外全波段，而且热稳定性好、抗击穿、耐腐蚀。目前基于氮化镓材料的大功率蓝发二极管已经普及至千家万户，不仅引发了照明产业革命，还帮助日本学者赤崎勇、天野浩和中村修二获得2014年的诺贝尔物理学奖。
然而，由于缺乏匹配的衬底，长期以来世界各国学者都面临着生长出高质量氮化镓外延材料的问题。这也是赵德刚选择专注于这个领域的心理动机之一。他带领团队通过独特方法解决了这一难题，最终成功地生长出了国内首次达到1000平方厘米/伏特·秒以上室温电子迁移率的大片面积、高质量N-p 型GaN 材料。
除了这一成就之外，赵德剛还解决了一系列关于碳杂质对p型GaN 材料性能影响的问题。他发现碳杂质可以成为抑制剂，对欧姆接触有助，但同时也可能破坏量子阱中的功能。在不断探索中，他找到了抑制碳杂质影响的手段，使得p型GaN 材料更加优异。
对于如何保持持续创新和解决问题能力，他说：“我从实践中寻找下一个课题，从不依赖热点或文献。我认为理论学习很重要，但更关键的是实践经验。” 他强调，只有沉下心来做积累，一些技术上的突破才可能实现。“我们不能被国外牵着鼻子走，我们必须立足国家需要。”
随着时间推移，赵德剛指导的一位博士学生也取得了显著进展，他们共同推动了二维电子气理论模型，该模型对于改善微electronics设备性能具有重要意义。这让 Zhao Dechang 感受到了无比满足感，也增强了他培养后备力量的心愿：“发展半导体科技事业需要一批踏踏实地的人员沉下去。我希望越来越多的人能站在国家需求上做科学研究，在实践中实现个人价值。”
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